[12] براءة اختراع
 رقم قرار الموافقة على منح البراءة: 90300/2016

 تاريخ قرار الموافقة على منح البراءة: 28/ديسمبر/2016
 [11] رقم البراءة: GC0004582

 [45] تاريخ النشر عن منح البراءة: 31/ديسمبر /2016              32/2016

 [51] التصنيف الدولي:

C23C16/24; C30B13/00; G01J3/28; G01N21/64

 [56] المراجع:

  -Measurement of Carbon Concentration in Polycrystalline Silicon Using FTIR Abstract, Lydia L. Hwang, John Bucci, and Jomes R. McCormick, J. Electrochem. Soc., Vol. 138, No. 2, February 1991
-US 2009311161 A1 [CT THERM SITEC GMBH [DE]], 17 December 2009

 الفاحص: م. يوسف صالح الرقابي

 [21] رقم الطلب: GC 2013-23378
 [22] تاريخ تقديم الطلب: 21/1/2013
 [30] الأولوية:
[31] رقم الأولوية [32] تاريخ الأولوية [33] اسم الدولة
102012200994.9
2012/1/24
ألمانيا
 [72] المخترعون: 1- د. هانز وشنر،2- د. روبرت باومان
 [73] مالك البراءة: 1- ووكـــر شــيمي ايه جي، هانس-سيدل- بلاتز 4، 81737، ميونخ، ألمانيا،
 [74] الوكيل: دينيماير آند أسوسيتس

  [54] عملية لتقدير التلوث السطحي للسيليكون متعدد البلورات
  [57] الملخص: يتعلق الاختراع الحالي بعملية لتقدير التلوث السطحي لسليكون متعددة البلورات، حيث تشتمل على الخطوات التالية:أ) توفير قضيبين من السيليكون متعدد البلورات بالترسيب في مفاعل سيمنز ؛ب) تقدير الملوثات في القضيب الأول من القضيبين بعد الترسيب مباشرة؛ج) توصيل القضيب الثاني من خلال نظام أو أكثر حيث تتم معالجة قضيبي السيليكون متعدد البلورات للحصول على قطع من القضيب أو أجزاء سيليكون متعدد نظيفة ،مخزنة أو معبئة بشكل اختياري؛د) ثم تقدير الملوثات في القضيب الثاني؛حيث يعطي الفرق في الملوثات المقاسة في القضيبين الأول والثاني التلوث السطحي للسيليكون متعدد البلورات الناجم عن الأنظمة وبيئة النظام.

 عدد عناصر الحماية: 4








 


ملاحظة : يجوز لكل ذي مصلحة خلال ثلاثة أشهر من تاريخ نشر منح البراءة أن يعترض على هذا المنح أمام لجنة التظلمات بعد دفع رسوم التظلم المقررة.